Switch 2 芯片或采用三星 5nm 工艺，性能提升可期
对疑似 Switch 2 主板照片的分析引发了关于其核心芯片工艺的讨论。
自昨日主板照片泄露以来，众多爱好者对照片中的组件进行了深入研究，试图在官方发布之前揭开新一代 Switch 的更多秘密。根据 Famiiboards 上的分析，有迹象表明 Switch 2 的 SoC 采用了三星 5nm 工艺而非之前传闻的 8nm。
据悉，Switch 2 采用的英伟达 T239 芯片拥有约 150 亿个晶体管。如果采用 8nm 工艺，芯片面积将达到 326mm²，这明显大于泄露照片中显示的芯片大小。而若采用 5nm 工艺，T239 的面积预计在 200mm² 左右，这与采用三星 5nm 工艺的骁龙 8 Gen1 芯片的尺寸相符。骁龙 8 Gen1 于 2021 年底发布，而 T239 的首批工程样片于 2022 年 4 月问世，时间线也吻合。如果该分析属实，那么 Switch 2 的性能将非常值得期待。
此外，长期以来关于 Switch 2 支持英伟达 DLSS 技术的传闻也得到了进一步的佐证。Bluksky 用户 Laura Kate Dale 发现了一项任天堂近期在美国提交的新专利，该专利强烈暗示 Switch 2 将采用类似英伟达 DLSS 的 AI 超分辨率技术，提升游戏画面输出分辨率。
这项技术不仅可以将较低的输入分辨率放大至 1080p 和 4K 分辨率，还有助于减小游戏文件体积。
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